Memória RAM 4GB DDR3

- DDR3
- Tensão 1,5V
- VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
- 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin 16 bancos internos independentes
- Latência CAS Programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6
- Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C
- Reset assíncrono
- PCB: Altura (19mm), componentes em ambos os lados